面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

IT之家报道，铠侠和南亚科技合作研究新型极低漏电流内存，将于2024 IEEE IEDM国际电子器件大会上发布。

据介绍，铠侠和南亚科技将展示首款4F² GAA氧化物半导体（Oxide-semiconductor）通道晶体管DRAM——OCTRAM。

OCTRAM是一种GAA结构的4F² VCT DRAM，内部集成了IGZO垂直通道晶体管，实现了极低的漏电流和内存能耗降低。

铠侠和南亚科技合作制造了275Mbit容量的OCTRAM阵列，字线和位线间距分别为54nm和63nm，该原型在设计电压范围内成功运行。

这一创新技术将有望在AI、后5G移动通信系统、物联网等领域得到应用，以满足设备在节能和性能方面不断增长的需求。

相关阅读：

• 《SK海力士：内存EUV光刻成本快速增长，考虑转向4F2或3D DRAM》

• 《TechInsights：3D、4F2等新结构DRAM内存有望于0C节点量产》

• 《迈向3D内存：三星电子计划2025年完成4F2 VCT DRAM原型开发》

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考。